鐵電參數(shù)測試功能

Dynamic Hysteresis 動態(tài)電滯回線測試頻率

Static Hysterestic 靜態(tài)電滯回線測試；

PUND 脈沖測試；

Fatigue 疲勞測試；

Retention保持力；

Imprint印跡；

Leakage current漏電流測試；

Thermo Measurement 變溫測試功能。

壓電參數(shù)測試功能

可進行壓電陶瓷的準靜態(tài)d33等參數(shù)測試，也可通過高壓放大器與位移傳感器（如激光干涉儀）動態(tài)法測量壓電系數(shù)測量。

熱釋電測試功能

主要用于薄膜及塊體材料變溫的熱釋電測試。采用電流法進行測量材料的熱釋電電流、熱釋電系數(shù)、剩余極化強度對溫度和時間的曲線。

薄膜材料變溫范圍：-196℃到+600℃；

塊體材料變溫范圍：室溫到200℃、室溫到600℃、室溫到800℃

介電溫譜測試功能

用于分析寬頻、高低溫環(huán)境條件下功能材料的阻抗Z、電抗X、導納Y、電導G、電納B、電感L、介電損耗D、因數(shù)Q等物理量，同時還可以分析被測樣品隨溫度、頻率、時間、偏壓變化的曲線。也可進行壓電陶瓷的居里溫度測試。

熱激發(fā)極化電流測試儀 TSDC

  用于研究材功材料的一些關鍵因素，諸如分子弛豫、相轉變、玻璃化溫度等等，通過TSDC技術也可以比較直觀的研究材料的弛豫時間、活化能等相關的介電特性。

絕緣電阻測試功能

高精zhun度的電壓輸出與電流測量，保障測試的，適用于功能材料在高溫環(huán)境材料的數(shù)據的檢測。例如：陶瓷材料、硅橡膠測試、PCB、云母、四氟材料電阻測試、也可做為科研院所新材料的高溫絕緣電阻的測試。

高溫四探針測試功能

符合功能材料導體、半導體材料與其它新材料在高溫環(huán)境下測試多樣化的需求。雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法標準并參考美國A.S.T.M標準。也可應用于產品檢測以及新材料電學研究等用途。

塞貝克系數(shù)/電阻測量系統(tǒng)

適用于半導體，陶瓷材料，金屬材料等多種材料的多種熱電分析；可根據用戶需求配置薄膜測量選件，低溫選件溫度范圍-100℃到200℃，高阻選件高至10MΩ。

電卡效應測試功能

還可以用于測試材料在寬溫度范圍內的電卡。

溫度范圍：-50℃到200℃、熱流時間范圍：1s-1000s，大電壓可達10kV，

波形：用戶自定、脈沖、三角波、正弦波、任意波形、預定義波形。

用戶可根據不同的需要，選擇不同的配置。